RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
87
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3273
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link