RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
87
Wokół strony -211% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3693
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link