RAM-Vergleich TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Gesamtnote

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 18.1

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

870.4 15.6

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 87

Rund um -211% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 5300

Rund um 4.02 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

417 3693

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns