RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
87
Wokół strony -98% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
44
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3145
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link