RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
2,061.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2091
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link