RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
94
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
94
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1699
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link