RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
87
Wokół strony -263% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2491
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link