RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
87
Wokół strony -211% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3490
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link