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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
14.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
87
左右 -211% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
28
读取速度,GB/s
3,155.6
18.0
写入速度,GB/s
870.4
14.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3490
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Corsair CMK32GX5M2A4800C40 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
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