RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
87
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3285
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
INTENSO 5641160 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link