RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
87
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3285
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Jinyu 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link