RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
87
Wokół strony -172% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3592
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link