RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
65
Wokół strony -210% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3168
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link