RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
65
Около -210% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
21
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3168
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link