RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
87
Wokół strony -295% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2942
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link