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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
87
左右 -295% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
22
读取速度,GB/s
3,155.6
17.0
写入速度,GB/s
870.4
13.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2942
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GNT 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
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