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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
比较
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
总分
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
总分
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
24.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,076.1
19.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,723.5
24.7
写入速度,GB/s
2,076.1
19.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
741
4174
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
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