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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
39
读取速度,GB/s
15.4
14.3
写入速度,GB/s
9.2
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2159
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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AMD R538G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
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