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AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
比较
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
总分
AMD R5S38G1601U2S 8GB
总分
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R5S38G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
39
左右 5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.8
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
39
读取速度,GB/s
15.4
14.3
写入速度,GB/s
9.2
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2581
2159
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Samsung M391B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
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