RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
87
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2795
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link