RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
87
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2467
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link