RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
87
94
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
94
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1390
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link