RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
87
Wokół strony -295% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3091
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link