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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
87
左右 -295% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
22
读取速度,GB/s
3,155.6
18.1
写入速度,GB/s
870.4
13.9
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3091
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMN1740EF48D8F-800 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
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Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB
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