RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
87
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2891
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link