RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
87
Wokół strony -248% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3187
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link