RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Comparez
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Note globale
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
870.4
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
87
Autour de -248% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
87
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,155.6
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
870.4
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
417
3187
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link