RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Comparez
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Note globale
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Note globale
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
44
68
Autour de 35% latence réduite
Raisons de considérer
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.9
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
44
68
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1977
2007
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link