RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
68
Около 35% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
68
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2007
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link