RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
17.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
87
Wokół strony -383% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3668
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link