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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
17.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
87
左右 -383% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
18
读取速度,GB/s
3,155.6
20.9
写入速度,GB/s
870.4
17.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
3668
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
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Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB RAM的比较
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
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