RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
87
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
39
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2680
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link