RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
87
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3167
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link