RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
71
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
3560
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5701-049.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link