RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
61
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
9.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
6.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
61
Prędkość odczytu, GB/s
9.7
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
6.0
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1396
2028
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link