RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
77
Wokół strony -285% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3429
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link