RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
77
Wokół strony -285% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3429
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YH9 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link