RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
87
Wokół strony -149% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3191
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link