RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
87
Wokół strony -149% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3191
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link