RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
87
Wokół strony -149% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
3191
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Mushkin 996902 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link