RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
87
Por volta de -149% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
15.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3191
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link