RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
87
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2468
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link