RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
87
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2616
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link