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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
12.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
87
左右 -156% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
34
读取速度,GB/s
3,155.6
16.4
写入速度,GB/s
870.4
12.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2616
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
Samsung M393B2G70EB0-YK0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
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