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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston KV0M5R-HYD 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
48
左右 44% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
13.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
48
读取速度,GB/s
13.8
13.3
写入速度,GB/s
8.4
8.5
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2398
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 99U5471-011.A01LF 2GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
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