RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
87
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1778
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link