RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
87
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1778
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link