RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
87
Wokół strony -263% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2946
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link