RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
50
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3013
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905403-445.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link