RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
50
Wokół strony -127% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3013
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link