RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
50
Intorno -127% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
22
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3013
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link