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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
50
En -127% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
3013
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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AMD AE34G2139U2 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
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