RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
pl
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 10.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    870.4 left arrow 8.3
    Średnia wartość w badaniach
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Powody do rozważenia
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    49 left arrow 87
    Wokół strony -78% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 5300
    Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    87 left arrow 49
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,155.6 left arrow 10.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    870.4 left arrow 8.3
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    417 left arrow 2413

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB

Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Pamięć RAM
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Pamięć RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Pamięć RAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Pamięć RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Pamięć RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Pamięć RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Pamięć RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Pamięć RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Pamięć RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Pamięć RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Pamięć RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Pamięć RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Pamięć RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Pamięć RAM