RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
6.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
87
Wokół strony -129% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1493
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link