RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
43
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
11.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
7.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
37
Prędkość odczytu, GB/s
11.4
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.7
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1823
2591
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link