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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
比较
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
总分
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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规格
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.7
7.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
11.4
14.2
写入速度,GB/s
7.7
10.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1823
2591
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
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