Porównanie pamięci RAM Corsair VS1GB800D2 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Corsair VS1GB800D2 1GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wynik ogólny

Corsair VS1GB800D2 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Corsair VS1GB800D2 1GB

Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

37 47

Wokół strony -27% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.6 1,361.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 6400

Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Corsair VS1GB800D2 1GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

460 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns